电子搀杂概况发射半导体绿光激光器

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（来历：中国微米纳米技术学会）

中英题目

电子搀杂概况发射半导体绿光激光器

An Electrically Pumped Surface-emitting Semiconductor Green Laser

图文导读

概况发射半导体激光器已普遍用于数据通讯，传感以及比来出现的Face ID和增强现实眼镜中。本研讨初次报道了经过操纵无位错氮化镓纳米晶体阵列构成的光子能带边沿形式，替换传统的DDR，实现了基于全外延散布式布拉格反射器（DBR）的电子搀杂概况发射绿色激光器。该器件工作在约523nm处，且阈值电流为约400A/cm2，与之前报道过的蓝色二极管相比，阈值电流下降了一个数目级以上。该研讨为开辟从紫外到深可见光（约200至600nm）波长范围的低阈值概况发射激光二极管供给了新的标准，且器件性能不再遭到缺少高质量DBR，大范围晶格失配和基板的限制。




图23. 在绿色波长下工作的InGaN NCSEL二极管的设想（A）概况发射激光二极管的InGaN纳米晶体阵列的表示图。（B）纳米晶体的直径和晶格常数别离暗示为d和a。（C）InGaN / AlGaN纳米线性异质结构的表示图，该结构由n-GaN覆盖层，InGaN / AlGaN多量子盘区和p-GaN覆盖层组成。（D）光子晶体结构的晶格具有六个等效的点，这些点经过布拉格光栅矢量K1和K2耦合在一路。（E）经过2D有限元方式（2D-FEM）仿真计较出的用于横向磁（TM）极化的光子带结构。（F）经过3D有限差分时域方式计较出的能带边沿形式（波长 523 nm）的电场散布。（G）InGaN / AlGaN校准样品显现自觉绿色的PL光谱。（H和I）InGaN纳米晶体阵列扫描电子显微镜（SEM）图像的俯视图和斜视图。

参考文献

Ra Y H, Rashid R T, Liu X, et al., Science Advances, 6(1): eaav7523, 2020.

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